FQD19N10LTM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD19N10LTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 15.6 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.074 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 15.6 A
上升时间 410 ns
输入电容Ciss 870pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 140 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD19N10LTM引脚图与封装图
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在线购买FQD19N10LTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD19N10LTM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD19N10LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号FQD19N10LTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD19N10LTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 100V 15.6A 100mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD19N10LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： FQD19N10LTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 100V 15.6A 100mohms | 类似代替 | N沟道 100V 15.6A | FQD19N10LTM和FQD19N10LTF的区别 |
| 型号： BUK7275-100A,118 品牌： 恩智浦 封装： SOT428 N-Channel 100V 21.7A | 功能相似 | BUK 系列 100 V 75 mOhm 84 W TrenchMOS 标准电平 FET - SOT-428 | FQD19N10LTM和BUK7275-100A,118的区别 |