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FQP20N06L

FQP20N06L

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

The is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

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100% Avalanche tested
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9.5nC Typical low gate charge
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35pF Typical low Crss
FQP20N06L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 21.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 53 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

上升时间 165 ns

输入电容Ciss 630pF @25VVds

额定功率Max 53 W

下降时间 70 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 53W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQP20N06L引脚图与封装图
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在线购买FQP20N06L
型号 制造商 描述 购买
FQP20N06L Fairchild 飞兆/仙童 QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存
替代型号FQP20N06L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FQP20N06L

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： TO-220 N-Channel 60V 21A 42mohms

当前型号

QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

当前型号

型号： STP16NF06L

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 16A 70mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP16NF06L..  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 16A, TO-220

FQP20N06L和STP16NF06L的区别

型号： STP55NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

功能相似

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

FQP20N06L和STP55NF06的区别

型号： STP16NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 16A 100mΩ

功能相似

N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

FQP20N06L和STP16NF06的区别