FDMA530PZ
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMA530PZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -6.80 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.4 W
输入电容 1.07 nF
栅电荷 24.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 6.80 A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 1070pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MicroFET-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 MicroFET-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FDMA530PZ引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDMA530PZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMA530PZ | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA530PZ. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 6.8A, MICROFET 2X2 | 搜索库存 |
替代型号FDMA530PZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMA530PZ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： MicroFET P-Channel -30V 6.8A 35mohms 1.07nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA530PZ. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 6.8A, MICROFET 2X2 | 当前型号 |
| 型号： IRFHS9301TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL P-Channel 30V 6A | 功能相似 | P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | FDMA530PZ和IRFHS9301TRPBF的区别 |