FDMC86116LZ
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 2.3 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 3.3A
输入电容Ciss 310pF @50VVds
额定功率Max 2.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 19W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerWDFN-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerWDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDMC86116LZ | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |