FDFMA2N028Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDFMA2N028Z中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 3.70 A
通道数 1
漏源极电阻 68 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 1.4 W
输入电容 455 pF
栅电荷 6.00 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 3.70 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 455pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MicroFET-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 MicroFET-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDFMA2N028Z引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDFMA2N028Z | Fairchild 飞兆/仙童 | 集成的N沟道MOSFET PowerTrench㈢和肖特基二极管的20V ， 3.7A ， 68米ヘ Integrated N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68mヘ | 搜索库存 |