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FDS8449
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8449  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.6 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V

The is a N-channel MOSFETs produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.

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High power handling capability in a widely used surface-mount package
FDS8449中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 7.60 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.9 V

输入电容 760 pF

栅电荷 11.0 nC

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.60 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 760pF @20VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS8449引脚图与封装图
FDS8449引脚图

FDS8449引脚图

FDS8449封装焊盘图

FDS8449封装焊盘图

在线购买FDS8449
型号 制造商 描述 购买
FDS8449 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8449  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.6 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V 搜索库存
替代型号FDS8449
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS8449

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOIC N-Channel 40V 7.6A 21ohms 760pF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8449  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.6 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V

当前型号

型号: PHK12NQ10T,518

品牌: 恩智浦

封装: SO N-Channel 100V 11.6A

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