FDS6162N3
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6162N3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 21.0 A
漏源极电阻 45.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 25.0 ns
输入电容Ciss 5521pF @10VVds
额定功率Max 3 W
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6162N3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDS6162N3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6162N3 | Fairchild 飞兆/仙童 | 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS6162N3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6162N3 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 20V 21A 45mohms | 当前型号 | 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS6064N3 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 20V 23A 3.4mohms | 类似代替 | 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET | FDS6162N3和FDS6064N3的区别 |