锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDME410NZT

FDME410NZT

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME410NZT  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 700 mV

The is a single N-channel MOSFET designed using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process to optimize the RDS ON @ VGS = 1.5V on special MicroFET lead-frame. It is suitable for Li-ion battery pack, base band switch and load switch applications.

.
Halogen-free
.
>1800V HBM ESD protection level
FDME410NZT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 6

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.1 W

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 3.4 ns

输入电容Ciss 1025pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 3.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 PowerUFDFN-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.55 mm

封装 PowerUFDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDME410NZT引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDME410NZT
型号 制造商 描述 购买
FDME410NZT Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME410NZT  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 700 mV 搜索库存