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FDT3N40TF
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDT3N40TF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 400 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V

The is an UniFET™ N-channel High Voltage MOSFET produced based on Semiconductor"s planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction PFC, flat panel display FPD TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

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100% Avalanche tested
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4.5nC Typical low gate charge
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3.7pF Typical low Crss
FDT3N40TF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 400 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 225pF @25VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDT3N40TF引脚图与封装图
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