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FDS4897AC
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4897AC  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.1 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V

The is a dual N/P-channel PowerTrench® MOSFET device is produced using advanced PowerTrench process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. The device is suitable for use with inverter and power supply applications.


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
FDS4897AC 系列 40 V 26 mOhm 双 N和P沟道 PowerTrench® MOSFET - SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC N T/R


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 6.1/5.2A; 2W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4897AC  Dual MOSFET, N and P Channel, 6.1 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V


Win Source:
MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.2A 8SO


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 40V 6.1/5.2A SO8


FDS4897AC中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 6.1A/5.2A

输入电容Ciss 1055pF @20VVds

额定功率Max 900 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.575 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDS4897AC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDS4897AC Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4897AC  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.1 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号FDS4897AC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS4897AC

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOIC N-Channel 40V 6.1A/5.2A

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4897AC  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.1 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: FDS4410

品牌: 飞兆/仙童

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