FQD13N10TM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQD13N10TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 10.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.142 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 40 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 450pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQD13N10TM引脚图与封装图
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在线购买FQD13N10TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQD13N10TM | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD13N10TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FQD13N10TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQD13N10TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 100V 10A 180mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD13N10TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： STD10NF10T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 100V 13A 115mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD10NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 130 mohm, 10 V, 3 V | FQD13N10TM和STD10NF10T4的区别 |