FQU13N06LTU_WS
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQU13N06LTU_WS中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 11A
输入电容Ciss 350pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 28W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQU13N06LTU_WS引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQU13N06LTU_WS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQU13N06LTU_WS | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3Pin3+Tab IPAK Tube | 搜索库存 |
替代型号FQU13N06LTU_WS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQU13N06LTU_WS 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： IPAK-3 N-CH 60V 11A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3Pin3+Tab IPAK Tube | 当前型号 |
| 型号： FQU13N06LTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-251AA N-Channel 60V 11A 115mohms | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU13N06LTU 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.5 V | FQU13N06LTU_WS和FQU13N06LTU的区别 |