FQP11N40C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP11N40C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 10.5 A
额定功率 135 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.43 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 135 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 10.5 A
上升时间 89 ns
输入电容Ciss 1090pF @25VVds
额定功率Max 135 W
下降时间 81 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP11N40C引脚图与封装图
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在线购买FQP11N40C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQP11N40C | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP11N40C 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 400 V, 0.43 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FQP11N40C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP11N40C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 400V 10.5A 430mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP11N40C 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 400 V, 0.43 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQP11N40C和STP55NF06的区别 |
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