FDZ191P
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDZ191P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.00 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.067 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.9 W
阈值电压 600 mV
输入电容 800 pF
栅电荷 13.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 800pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.9W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WLCSP-6
外形尺寸
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
高度 0.37 mm
封装 WLCSP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDZ191P引脚图与封装图 
FDZ191P引脚图
FDZ191P封装焊盘图
在线购买FDZ191P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDZ191P | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDZ191P. 场效应管, MOSFET, N沟道, -20V, -3A, WL-CSP | 搜索库存 |
替代型号FDZ191P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDZ191P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： WL-CSP P-Channel 20V 3A 67mohms 800pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDZ191P. 场效应管, MOSFET, N沟道, -20V, -3A, WL-CSP | 当前型号 |