
漏源极电阻 0.0036 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.3 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 18.8A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 4865pF @15VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 45W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MLP-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 MLP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDMC7664 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET的PowerTrench 30 V , 18.8 A, 4.2米? N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 18.8 A, 4.2 m | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDMC7664 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: Power N-Channel 30V 18.8A | 当前型号 | N沟道MOSFET的PowerTrench 30 V , 18.8 A, 4.2米? N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 18.8 A, 4.2 m | 当前型号 | |
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