FDD4243
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD4243中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -14.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.036 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 42 W
输入电容 1.55 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1550pF @20VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD4243引脚图与封装图 
FDD4243引脚图
FDD4243封装焊盘图
在线购买FDD4243
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD4243 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD4243 晶体管, MOSFET, P沟道, 14 A, -40 V, 0.036 ohm, 20 V, -1.6 V | 搜索库存 |
替代型号FDD4243
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD4243 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 P-Channel 40V 14A 44ohms 1.55nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD4243 晶体管, MOSFET, P沟道, 14 A, -40 V, 0.036 ohm, 20 V, -1.6 V | 当前型号 |
| 型号： FDD4243_F085 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 P-CH 40V 14A | 类似代替 | PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDD4243和FDD4243_F085的区别 |
| 型号： STD30PF03LT4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252 P-Channel 30V 24A 32mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD30PF03LT4 晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -30 V, 28 mohm, -10 V, -1 V | FDD4243和STD30PF03LT4的区别 |