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FDC3535
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC3535  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.1 A, -80 V, 0.147 ohm, -10 V, -1.6 V

The is a P-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process.

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High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
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Fast switching speed
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100% UIL Tested
FDC3535中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.147 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.6 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 2.1A

上升时间 3.1 ns

输入电容Ciss 880pF @40VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 2.9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDC3535引脚图与封装图
FDC3535引脚图

FDC3535引脚图

FDC3535封装焊盘图

FDC3535封装焊盘图

在线购买FDC3535
型号 制造商 描述 购买
FDC3535 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC3535  晶体管, MOSFET, P沟道, -2.1 A, -80 V, 0.147 ohm, -10 V, -1.6 V 搜索库存