![FDV301N_D87Z](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_151/chanpintu/fdv301n-d87z-IfpVbEQH-Vobl40RZK.png)
额定电压DC 25.0 V
额定电流 220 mA
漏源极电阻 5.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
输入电容 9.50 pF
栅电荷 700 pC
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25.0 V
栅源击穿电压 8.00 V
连续漏极电流Ids 220 mA
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 9.5pF @10VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.2 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDV301N_D87Z | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDV301N_D87Z 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 N-Channel 25V 220mA 5ohms 9.5pF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 3Pin SOT-23 T/R | 当前型号 | |
型号: FDV301N 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-23 N-Channel 25V 220mA 5ohms 9.5pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV301N 晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV | FDV301N_D87Z和FDV301N的区别 |