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FDN537N
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
FDN537N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 1.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.5A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 360pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.4 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FDN537N引脚图与封装图
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在线购买FDN537N
型号 制造商 描述 购买
FDN537N Fairchild 飞兆/仙童 PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 搜索库存