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FDME1034CZT

FDME1034CZT

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME1034CZT  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.8 A, 20 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 700 mV

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.8A, 2.6A 600mW Surface Mount 6-MicroFET 1.6x1.6


得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


贸泽:
MOSFET 20V Complementary PowerTrench


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME1034CZT  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.8 A, 20 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 700 mV


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.4A/2.6A 6-Pin MicroFET T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.4A/2.3A 6-Pin MicroFET T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.4A/2.6A 6-Pin MicroFET T/R


Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET


FDME1034CZT中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 0.055 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 3.4A/2.6A

输入电容Ciss 300pF @10VVds

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 MicroFET-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.5 mm

封装 MicroFET-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDME1034CZT引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDME1034CZT Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDME1034CZT  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.8 A, 20 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 700 mV 搜索库存