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FDC6304P
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6304P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -460 mA, -25 V, 0.87 ohm, -4.5 V, -860 mV

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 25V 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6


得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI


贸泽:
MOSFET SSOT-6 P-CH -25V


e络盟:
场效应管, MOSFET, 双P沟道, -25V, SUPERSOT-6


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 6-Pin SuperSOT T/R


富昌:
FDC6304P 系列 25 V 1.1 Ohms 双 P 沟道 数字 FET SSOT-6


Verical:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 6-Pin SuperSOT T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6304P  MOSFET Transistor, Dual, Dual P Channel, -460 mA, -25 V, 0.87 ohm, -4.5 V, -860 mV


Win Source:
MOSFET 2P-CH 25V 0.46A SSOT-6


DeviceMart:
MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT-6


FDC6304P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -25.0 V

额定电流 -460 mA

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 0.87 Ω

极性 P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 900 mW

阈值电压 860 mV

输入电容 62.0 pF

栅电荷 1.10 nC

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids -460 mA

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 62pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDC6304P引脚图与封装图
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在线购买FDC6304P
型号 制造商 描述 购买
FDC6304P Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6304P  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -460 mA, -25 V, 0.87 ohm, -4.5 V, -860 mV 搜索库存