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FDC6392S
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FDC6392S 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V -2.2A 1A 0.34V SOT-163/SOT23-6 marking/标记 392 直流转换器/DC-DC转换器/低栅极电荷/快速开关

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| P沟道 P-Channel \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -20V 最大漏极电流IdDrain Current| -12V 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| -2.2A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 150mΩ@ VGS =4.5 V, ID =2.2A 耗散功率PdPower Dissipation| -0.6~-1.5V Description & Applications| 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes 描述与应用| 20V


得捷:
2.2A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET


贸泽:
MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin SuperSOT T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-Pin SuperSOT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6


FDC6392S中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -2.20 A

漏源极电阻 150 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 0.96 W

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 2.20 A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 369pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 960mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDC6392S引脚图与封装图
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在线购买FDC6392S
型号 制造商 描述 购买
FDC6392S Fairchild 飞兆/仙童 FDC6392S 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V -2.2A 1A 0.34V SOT-163/SOT23-6 marking/标记 392 直流转换器/DC-DC转换器/低栅极电荷/快速开关 搜索库存
替代型号FDC6392S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDC6392S

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SSOT P-Channel 20V 2.2A 150mohms

当前型号

FDC6392S 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V -2.2A 1A 0.34V SOT-163/SOT23-6 marking/标记 392 直流转换器/DC-DC转换器/低栅极电荷/快速开关

当前型号

型号: SI1413EDH-T1-E3

品牌: Vishay Siliconix

封装: SOT-363 P-Channel 20V 2.9A 220mΩ

功能相似

MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

FDC6392S和SI1413EDH-T1-E3的区别