FDC5661N_F085
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDC5661N_F085中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 4.3A
上升时间 1.6 ns
输入电容Ciss 763pF @25VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 3.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDC5661N_F085引脚图与封装图
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在线购买FDC5661N_F085
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDC5661N_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDC5661N_F085
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDC5661N_F085 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SSOT-6 N-CH 60V 4.3A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： AO6420 品牌： 万代半导体 封装： TSOP-6 N-CH 60V 4.2A | 功能相似 | 二极管与整流器 | FDC5661N_F085和AO6420的区别 |