
针脚数 6
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 9.50 A
上升时间 3.9 ns
输入电容Ciss 1080pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 3.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.9 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WDFN-6
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 WDFN-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDMA410NZ | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA410NZ 场效应管, MOSFET, N沟道, 9.5A, 20V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDMA410NZ 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: MicroFET N-Channel 20V 9.5A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA410NZ 场效应管, MOSFET, N沟道, 9.5A, 20V | 当前型号 | |
型号: IRLHS6242TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 20V 10A | 功能相似 | INFINEON IRLHS6242TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 20 V, 0.0094 ohm, 4.5 V, 800 mV 新 | FDMA410NZ和IRLHS6242TRPBF的区别 |