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FDU6612A
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

N-Channel 30 V 9.5A Ta, 30A Tc 2.8W Ta, 36W Tc Through Hole I-PAK


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N沟道 30V 30A 9.5A


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MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK


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Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


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MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK


FDU6612A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 30.0 A

漏源极电阻 20.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.8 W

输入电容 660 pF

栅电荷 6.70 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 660pF @15VVds

额定功率Max 1.3 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 36W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

高度 6.1 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDU6612A引脚图与封装图
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