FQN1N50CTA
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQN1N50CTA中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 4.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 890 mW
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 380 mA
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 195pF @25VVds
额定功率Max 890 mW
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 890mW Ta, 2.08W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Ammo Pack
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQN1N50CTA引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQN1N50CTA | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQN1N50CTA 晶体管, MOSFET, N沟道, 380 mA, 500 V, 4.6 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |