FPN660A_D27Z
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FPN660A_D27Z中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 250 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 550
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
FPN660A_D27Z引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FPN660A_D27Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FPN660A_D27Z | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Transistor Low Saturation | 搜索库存 |