FQN1N60CTA
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
针脚数 3
漏源极电阻 9.3 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 170pF @25VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FQN1N60CTA | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQN1N60CTA 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FQN1N60CTA 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 N-Channel 600V 300mA 9.3ohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQN1N60CTA 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 600 V, 9.3 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |