FDG6318PZ
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDG6318PZ中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -500 mA
通道数 2
漏源极电阻 780 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 0.3 W
输入电容 85.4 pF
栅电荷 1.08 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 85.4pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDG6318PZ引脚图与封装图
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在线购买FDG6318PZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDG6318PZ | Fairchild 飞兆/仙童 | MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDG6318PZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDG6318PZ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： 6-TSSOP P-Channel 20V 500mA 780mohms 85.4pF | 当前型号 | MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： FDG6318P 品牌： 安森美 封装： SOT-363 | 功能相似 | ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDG6318P, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 SC-70封装 | FDG6318PZ和FDG6318P的区别 |