FDG6316P
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDG6316P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -700 mA
针脚数 6
漏源极电阻 0.221 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 300 mW
输入电容 146 pF
栅电荷 1.70 nC
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 -12.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -700 mA
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 146pF @6VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FDG6316P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDG6316P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDG6316P | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6316P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 700 mA, -12 V, 0.221 ohm, -4.5 V, -600 mV | 搜索库存 |
替代型号FDG6316P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDG6316P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： 6-TSSOP P-Channel -12V -700mA 270mohms 146pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6316P 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 700 mA, -12 V, 0.221 ohm, -4.5 V, -600 mV | 当前型号 |
| 型号： FDG6316P_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | FDG6316P和FDG6316P_NL的区别 |