FDN306P
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDN306P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -2.60 A
额定功率 500 mW
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.03 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
输入电容 454 pF
栅电荷 12.0 nC
漏源极电压Vds 12 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 2.60 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1138pF @6VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
FDN306P引脚图与封装图
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在线购买FDN306P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDN306P | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN306P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -12 V, 40 mohm, -4.5 V, -600 mV | 搜索库存 |
替代型号FDN306P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDN306P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23/SC-59 P-Channel 12V 2.6A 40mohms 454pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN306P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -12 V, 40 mohm, -4.5 V, -600 mV | 当前型号 |
| 型号： AO3415 品牌： 万代半导体 封装： SOT-23/SC-59 P-CH 20V 4A | 功能相似 | P沟道,-20V,-4A,41mΩ@-4.5V | FDN306P和AO3415的区别 |