FDN371N
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDN371N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 2.50 A
漏源极电阻 22.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 0.5 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 815pF @10VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 5.5 ns
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
FDN371N引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDN371N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDN371N | Fairchild 飞兆/仙童 | 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDN371N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDN371N 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SSOT N-Channel 20V 2.5A 22mohms | 当前型号 | 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 |