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FZT3019
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 140V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 7mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 500 mA and collector voltages up to 80 V. 描述与应用| NPN通用放大器 这个装置是专为通用中等功率放大器 和开关要求集电极电流为500 mA和集电极 电压高达80 V。

FZT3019中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FZT3019引脚图与封装图
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FZT3019 Fairchild 飞兆/仙童 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 搜索库存