FJN13003BU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJN13003BU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 400 V
额定电流 1.50 A
极性 NPN
耗散功率 1.1 W
增益频宽积 4 MHz
集电极击穿电压 700 V
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 9 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 21
额定功率Max 1.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 1.1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJN13003BU引脚图与封装图
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在线购买FJN13003BU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJN13003BU | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3Pin TO-92 Bulk | 搜索库存 |
替代型号FJN13003BU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJN13003BU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 400V 1.5A 1.1W | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3Pin TO-92 Bulk | 当前型号 |
| 型号： FJN13003TA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 NPN 400V 1.5A 1.1W | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor | FJN13003BU和FJN13003TA的区别 |