FDD6030BL
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD6030BL中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 7.7 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 42.0 A
上升时间 10 ns
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDD6030BL引脚图与封装图
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在线购买FDD6030BL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD6030BL | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET PowerTrenchTM N-Channel PowerTrenchTM MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDD6030BL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD6030BL 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 30V 42A 7.7mohms | 当前型号 | N沟道MOSFET PowerTrenchTM N-Channel PowerTrenchTM MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDD8878 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 30V 40A 11mohms 880pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8878 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V | FDD6030BL和FDD8878的区别 |
| 型号： STD35N3LH5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-CH 30V 35A | 功能相似 | 30V,14mΩ,35A,N沟道功率MOSFET | FDD6030BL和STD35N3LH5的区别 |