FDV305N
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDV305N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 900 mA
针脚数 3
漏源极电阻 220 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 350 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 900 mA
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 109pF @10VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 1.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDV305N引脚图与封装图 
FDV305N引脚图
FDV305N封装焊盘图
在线购买FDV305N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDV305N | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV305N 晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 20 V, 220 mohm, 4.5 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号FDV305N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDV305N 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 N-Channel 20V 900mA 164mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV305N 晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 20 V, 220 mohm, 4.5 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： FDV305N_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | SOT-23 N-CH 20V 0.9A | FDV305N和FDV305N_NL的区别 |