FDS8960C
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS8960C中文资料参数规格
技术参数
额定电流 7.00 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 24 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2 V
输入电容 540 pF
栅电荷 5.70 nC
漏源极电压Vds 35 V
漏源击穿电压 35 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 16.0 ns
输入电容Ciss 570pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS8960C引脚图与封装图
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在线购买FDS8960C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS8960C | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8960C 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 35 V, 24 mohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号FDS8960C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS8960C 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 35V 7A 24mohms 540pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8960C 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 35 V, 24 mohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： FDS4897C 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 40V 6.2A/4.4A | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4897C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.2 A, 40 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V | FDS8960C和FDS4897C的区别 |