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FDS6912
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6912  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 2 V

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 6A Ta 2W Ta Surface Mount 8-SOIC


得捷:
6A, 30V, 0.028OHM, 2-ELEMENT, N


立创商城:
2个N沟道 30V 6A


e络盟:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6912  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
FDS6912 系列 30 V 28 mOhm 双 N 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet-SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6912  Dual MOSFET, Dual N Channel, 6 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 2 V


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC


FDS6912中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 0.028 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 740pF @15VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

宽度 4 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDS6912引脚图与封装图
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在线购买FDS6912
型号 制造商 描述 购买
FDS6912 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6912  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 2 V 搜索库存
替代型号FDS6912
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDS6912

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SO N-Channel 30V 6A 24mohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6912  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 2 V

当前型号

型号: FDS8984

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOIC Dual N-Channel 30V 7mA 19mohms 635pF

类似代替

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8984  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.7 V

FDS6912和FDS8984的区别

型号: STS8DNF3LL

品牌: 意法半导体

封装: SOIC N-Channel 30V 8A 20mΩ

功能相似

STS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-8

FDS6912和STS8DNF3LL的区别