FDG6335N
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDG6335N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 700 mA
针脚数 6
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 300 mW
阈值电压 1.1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 700 mA
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 113pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 1.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDG6335N引脚图与封装图
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在线购买FDG6335N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDG6335N | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6335N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V | 搜索库存 |
替代型号FDG6335N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDG6335N 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-363 N-Channel 20V 700mA 300mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6335N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V | 当前型号 |
| 型号： FDG6301N 品牌： 飞兆/仙童 封装： SC-70 N-Channel 25V 220mA 4ohms 9.5pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6301N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV | FDG6335N和FDG6301N的区别 |
| 型号： SI1902DL-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP | 功能相似 | TRANSISTOR 660mA, 20V, 2Channel, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6Pin, FET General Purpose Small Signal | FDG6335N和SI1902DL-T1-E3的区别 |