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FDC604P

FDC604P

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Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC604P  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 33 mohm, -4.5 V, -700 mV

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -8V 最大漏极电流IdDrain Current| -5.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 60mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -4A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| P-Channel 1.8V Specified Power Trench MOSFET General Description This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses ’s low voltage Power Trench process. It has been optimized for battery power management applications. Applications • DC-DC converters • Load switch • Power management Features • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDSON 描述与应用| P沟道1.8V额定功率沟道MOSFET 概述 此P沟道MOSFET的1.8V指定使用飞兆半导体的低电压功率沟槽过程。它已被优化的电池电源管理应用。 应用 •DC-DC转换器 •负荷开关 •电源管理 特点 •开关速度快 •高性能沟道技术极低的RDS（ON）

FDC604P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -5.50 A

针脚数 6

漏源极电阻 33 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.6 W

输入电容 1.93 nF

栅电荷 19.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 -20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -5.50 A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1926pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDC604P引脚图与封装图
FDC604P引脚图

FDC604P引脚图

FDC604P封装焊盘图

FDC604P封装焊盘图

在线购买FDC604P
型号 制造商 描述 购买
FDC604P Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC604P  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 33 mohm, -4.5 V, -700 mV 搜索库存
替代型号FDC604P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FDC604P

品牌： Fairchild 飞兆/仙童

封装： SSOT P-Channel -20V -5.5A 33mohms 1.93nF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC604P  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 33 mohm, -4.5 V, -700 mV

当前型号

型号： SI3433CDV-T1-GE3

品牌： 威世

封装： TSOP P-Channel 20V 5.2A 38mΩ 1V

功能相似

P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET

FDC604P和SI3433CDV-T1-GE3的区别

型号： SI3469DV-T1-E3

品牌： Vishay Siliconix

封装： SOT-23-6 P-Channel 20V 6.7A

功能相似

Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6Pin TSOP T/R

FDC604P和SI3469DV-T1-E3的区别

型号： FDC602P

品牌： 安森美

封装： SOT-23

功能相似

PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDC604P和FDC602P的区别