FDB86102LZ
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB86102LZ中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 8.3A
上升时间 2.1 ns
输入电容Ciss 1275pF @50VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 2.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDB86102LZ引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB86102LZ | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB86102LZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.5 V | 搜索库存 |