FDP120N10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP120N10中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0097 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 170 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 74A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 5605pF @25VVds
额定功率Max 170 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 170W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDP120N10引脚图与封装图 
FDP120N10封装焊盘图
在线购买FDP120N10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP120N10 | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDP120N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP120N10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 N-Channel 100V 74A | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： STP120NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 110A 10.5mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V | FDP120N10和STP120NF10的区别 |
| 型号： SUP85N10-10-E3 品牌： 威世 封装： TO-220-3 N-CH 100V 85A 10.5mΩ | 功能相似 | N沟道 100V 85A | FDP120N10和SUP85N10-10-E3的区别 |
| 型号： BUK7510-100B,127 品牌： 恩智浦 封装： TO-220AB N-CH 100V 110A | 功能相似 | TO-220AB N-CH 100V 110A | FDP120N10和BUK7510-100B,127的区别 |