FDT86113LZ
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDT86113LZ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.2 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 3.3A
上升时间 1.3 ns
输入电容Ciss 315pF @50VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 1.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 3.7 mm
宽度 6.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDT86113LZ引脚图与封装图 
FDT86113LZ引脚图
FDT86113LZ封装焊盘图
在线购买FDT86113LZ
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDT86113LZ | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT86113LZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.3 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
替代型号FDT86113LZ
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDT86113LZ 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-223 N-Channel 100V 3.3A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT86113LZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.3 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 |