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FDMA507PZ
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA507PZ.  场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 0.019Ω, -7.8A, MICROFET-6

The is a single P-channel MOSFET produced Semiconductor"s PowerTrench® process. It is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultra-portable applications. It features a MOSFET with low ON-state resistance. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

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Halogen-free
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>3.2kV Typical HBM ESD protection level
FDMA507PZ中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.4 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 7.8A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 2015pF @10VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 96 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.4W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN-6

外形尺寸

封装 WDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FDMA507PZ引脚图与封装图
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