锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

FDMA291P
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA291P  晶体管, MOSFET, P沟道, 6.6 A, -20 V, 0.036 ohm, -700 mV, -700 mV

The is a 1.8V specified single P-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low ON-state resistance. The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.

.
Halogen-free
FDMA291P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -6.60 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.036 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.4 W

输入电容 1.00 nF

栅电荷 14.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -6.60 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1000pF @10VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 2.4W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 WDFN-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 WDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDMA291P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDMA291P
型号 制造商 描述 购买
FDMA291P Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMA291P  晶体管, MOSFET, P沟道, 6.6 A, -20 V, 0.036 ohm, -700 mV, -700 mV 搜索库存