FDC6561AN
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDC6561AN中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.50 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.082 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 960 mW
阈值电压 1.8 V
输入电容 220 pF
栅电荷 2.30 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 10.0 ns
输入电容Ciss 220pF @15VVds
额定功率Max 700 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.96 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDC6561AN引脚图与封装图 
FDC6561AN引脚图
FDC6561AN封装焊盘图
在线购买FDC6561AN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDC6561AN | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6561AN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.082 ohm, 10 V, 1.8 V | 搜索库存 |
替代型号FDC6561AN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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