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FDC3612
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC3612  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 100 V, 125 mohm, 10 V, 2.3 V

PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A, Semiconductor


欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDC3612, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R


富昌:
FDC3612 系列 100 V 125 mOhms N 沟道 PowerTrench Mosfet SSOT-6


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC3612  MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 100 V, 125 mohm, 10 V, 2.3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6


FDC3612中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 2.60 A

针脚数 6

漏源极电阻 125 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.6 W

阈值电压 2.3 V

输入电容 660 pF

栅电荷 14.0 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.60 A

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 660pF @50VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 3.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDC3612引脚图与封装图
FDC3612引脚图

FDC3612引脚图

FDC3612封装焊盘图

FDC3612封装焊盘图

在线购买FDC3612
型号 制造商 描述 购买
FDC3612 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC3612  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 100 V, 125 mohm, 10 V, 2.3 V 搜索库存
替代型号FDC3612
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDC3612

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SSOT N-Channel 100V 2.6A 125mohms 660pF

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC3612  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 100 V, 125 mohm, 10 V, 2.3 V

当前型号

型号: FDC3612_F095

品牌: 飞兆/仙童

封装: SuperSOT N-CH 100V 2.6A

类似代替

MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT

FDC3612和FDC3612_F095的区别