FDB8832
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDB8832中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 2
漏源极电阻 1.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 1.6 V
输入电容 11.4 nF
栅电荷 265 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 73 ns
输入电容Ciss 11400pF @15VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 38 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDB8832引脚图与封装图 
FDB8832引脚图
FDB8832封装焊盘图
在线购买FDB8832
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDB8832 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8832 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 30 V, 1.5 mohm, 20 V, 1.6 V | 搜索库存 |
替代型号FDB8832
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDB8832 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 30V 80A 1.9mohms 11.4nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8832 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 30 V, 1.5 mohm, 20 V, 1.6 V | 当前型号 |
| 型号： FDB8832_F085 品牌： 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-CH 30V 80A | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | FDB8832和FDB8832_F085的区别 |
| 型号： SPB80N03S2-03 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 N-CH 30V 80A 7.02nF | 功能相似 | 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor | FDB8832和SPB80N03S2-03的区别 |