FDP42AN15A0
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP42AN15A0中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 35.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.042 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
输入电容 2.15 nF
栅电荷 30.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 2150pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDP42AN15A0引脚图与封装图
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在线购买FDP42AN15A0
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP42AN15A0 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP42AN15A0 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 12 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FDP42AN15A0
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDP42AN15A0 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 150V 35A 80mohms 2.15nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP42AN15A0 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 12 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： IRFZ14PBF 品牌： 威世 封装： TO-220AB N-Channel 60V 10A 200mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | FDP42AN15A0和IRFZ14PBF的区别 |
| 型号： PSMN035-150P@127 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | PSMN035-150P@127 | FDP42AN15A0和PSMN035-150P@127的区别 |