FDC640P
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDC640P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -4.50 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.039 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1 V
输入电容 890 pF
栅电荷 9.00 nC
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 4.50 mA
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 890pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDC640P引脚图与封装图
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在线购买FDC640P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDC640P | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC640P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.039 ohm, -4.5 V, -1 V | 搜索库存 |
替代型号FDC640P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDC640P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SSOT P-Channel 20V 4.5mA 53mohms 890pF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC640P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.039 ohm, -4.5 V, -1 V | 当前型号 |
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